在我們實際研磨拋光過程中，研磨拋光主要講的是化學機械拋光（CMP: Chemical Mechanical Polishing）。CMP 是化學的和機械的綜合作用,在一定壓力及拋光漿料存在下,在拋光液中的腐蝕介質作用下工件表面形成一層軟化層，拋光液中的磨粒對工件上的軟化層進行磨削，因而在被研磨的工件表面形成光潔表面。

研磨拋光作用的機理：

拋光液中的腐蝕介質與被拋光表面材料發生了化學反應,生成很薄的剪切強度很低的化學反應膜,反應膜在磨粒磨削作用下被去處,從而露出新的表面,接著又繼續反應生成新的反應膜,如此周而復始的進行,使表面逐漸被拋光修平,實現拋光的目的。

拋光皮的分類：

根據拋光皮磨料填充、材質、表面結構情況，共分為三大類

按磨料填充分為：無填充磨料和有填充磨料拋光皮

無填充磨料的拋光皮，在拋光過程中的相比較拋光工件光圈穩定。

有填充磨料的拋光皮：含氧化鈰拋光皮和含氧化鋯拋光皮

氧化鈰拋光皮：較能提高拋光速率

氧化鋯拋光皮：較能提高被拋光工件的光潔度

按材質的不同分為：不織布（無紡布）磨皮、發泡聚氨酯磨皮和阻尼布磨皮